jueves, 19 de enero de 2012

Nuevos materiales, 3D y estructuras ultrafinas para la nueva generación de chips

A pocos meses de la llegada del ‘Ivy Bridge’ Tri-Gate de Intel, investigadores de Harvard y Purdue presentan un dispositivo basado en transistores que conjugan una estructura en 3D y materiales semiconductores alternativos al silicio.
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